廣東玻璃凈化工程設計專業規劃設計
依據美國聯邦政府頒布的標準【Federal Atandard(FS)209E，1992】，可將無塵室(又名潔凈室,無塵車間)分為六級。分別是1級、10級、100級、1000級、10000級、100000級，如果無塵室的等級只用塵粒數目來敘述，則可假設塵粒的尺寸不是0.5um，無塵室等級應以在一特定塵粒尺寸的級數來表示。例如:10級在0.2um(塵粒尺寸在0.2um或更大下，密度不大于75顆/立方英尺)，1級在0.1um(塵粒尺寸在0.1um或更大下，密度不大于35顆/立方英尺)。而集成電路制造所需的無塵室之潔凈度優于1000級。
無塵車間凈化工程最主要的作用在于控制產品所接觸的空氣的無塵度及溫濕度，使產品能在一個良好的環境空間中生產、制造，此空間我們稱之為無塵車間。按照國際慣例，無塵凈化級別主要是根據每立方米空氣中粒子直徑大小劃分標準的粒子數量來規定。
在一定空間范圍內，將空氣中的微粒子、有害空氣、細菌等污染物排除，并將室內溫度、潔凈度、壓力、氣流速度與氣流分布、噪音振動及照明、靜電控制在某一需求范圍內的工程學科。凈化工程所設計的房間，不論外在空氣條件如何變化，室內均具有維持原先所設定要求之潔凈度、溫濕度及壓力等性能。 潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。 具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。 濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產佳溫度范圍為35—45%。 潔凈室中的氣壓規定 對于大部分潔凈空間，為了外界污染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則:1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。3.相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。 壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。潔凈室中的氣流速度規定 這里要討論的氣流速度是指潔凈室內的氣流速度，在其他潔凈空間中的氣流速度在討論具體設備時再說明。對于亂流潔凈室 由于主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內污染的程度，所以主要用換氣次數這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內氣流速度也有如下要求；(1)送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。(2)吹過水平面的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成再污染，這一速度一般不宜大干0.2m/s。對于平行流潔凈室《慣上稱層流潔凈室），由于主要靠氣流的“活塞打擠壓作用排除行染，所以截面上的速度就是重要的。過去都參考美國20gB標準，采用0.45m/s．但人們也都了解到這樣大速度所需要的通風量是大的，為了，也都在探求降低速一風速的可行性。在我國，《空氣潔凈技術措施》和lOOOlx100000級: >1000LX人工光300lx有較好的效果，當工件精細程度更高時，500x也是允許的。對于要紅燈照明的地方，如電子行業的光刻車間，其照度一般為25—501x)。用天然光時可允許更高的照度，因而對工作是有利的，所以今后潔凈室的照明既采用人工光也采用天然光可能是有前途的，這也是為了而出現的一種動向。 潔凈室中的防靜電潔凈室中由于靜電引起的的事故屢有發生，因此潔凈室的防靜電能力如何已成為評價其質量的一個不可忽視的方面。所謂靜電，是由于摩擦等原因破壞了物體中正(+)負<一）電荷等量的均勻的電中性狀態，而使電荷過剩，物體呈帶電狀態，由于這些電荷平時是不流動的，故稱靜電。在潔凈室內靜電導致的事故有以下幾方面；1．靜電電引起的靜電，引起人的不和恐懼感，并可造成二次傷害(例如人因受而摔倒，由摔倒又致傷)；2．靜電放電引起的放電電流，可導致諸如半導體元件等破壞和誤動作，例如將50塊P- MOS電路放在塑料袋內，搖晃數次后，與非門柵嚴重擊穿者計39塊，失效率競達78%，這是因為半導體器件對靜電放電十分靈敏；3．靜電放電產生的電磁波可導致電子儀器和裝置的雜音和誤動作；4．靜電放電的發光可導致照像肢片等感光破壞；5．靜電的力學現象可導致篩孔被粉塵堵塞，紡紗線紛亂，印刷品深淺不均和制品污染；6．靜電放電引起的危險的災害是成為可燃物的火源井引起爆炸，例如國外文獻統計，在手術室使用爆炸性麻醉劑的86000次中，爆炸的36次，其中由靜電引起的達21次；靜電事故的產生主要在于靜電的產生和積累，而氣流的流動，氣流和管道、風口、過濾器等摩擦，人體和衣服的摩擦，衣服之間的摩擦，工藝上的研磨，噴涂、射流、洗滌、攪拌、粘合和剝離等操作，選些都可能產生靜電，在一般情況下，越是電導率小的非導體（緣體），由于電荷產生后不易流動，因此表現為越容易帶電。靜電問題所以在潔凈室中嚴重，是因為不但在潔凈室中具備前述產生靜電的多種工藝因素，而且因為潔凈室中的許多材料如塑料地面、墻面，尼龍、的確良等工作服都有很高的電阻率，都易產生靜電和集聚靜電，在潔凈室的靜電災害未被重視以前，這些材料料是被廣泛采用的。控制產品 (如硅芯片等) 所接觸之大氣的潔凈度及溫濕度，使產品能在一個良好之環境空間中生產、制造。此空間的設計施工過程即可稱為凈化工程。
凈化工程垂直單向流潔凈室的標準在水平流系統中,氣流是從一面墻流向另一面墻。在垂直流系統中,氣流是從吊頂流向地面。對要求潔凈室的懸浮粒子濃度或微生物濃度更低的場合,就使用單向氣流。單向流潔凈室一般有兩種類型，即水平流和垂直流。在水平流系統中，氣流是從一面墻流向另一面墻。在垂直流系統中，氣流是從吊頂流向地面。對要求潔凈室的懸浮粒子濃度或微生物濃度更低的場合，就使用單向氣流。以前稱這類潔凈室為“層流”潔凈室。單向流和層流的名稱均說明了其氣流的狀況:氣流以一個方向流動（或是垂直的或是水平的），并以一般是0.3米/秒至0.5米/秒（60英尺/分鐘至100英尺/分鐘）的均速流過整個空間。